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SDI2085
1个P沟道 耐压:15V 电流:8.5A
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- 描述
- P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SDI2085
- 商品编号
- C962719
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 15V、-8.5A,VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 25mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
- 适用于-1.8V栅极驱动应用
应用领域
-笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器