HC3M0032120K
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描述
该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高电压应用设计,额定电流高达63A。适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性、低导通电阻和快速开关性能,是现代高效能源管理与功率控制的理想选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HC3M0032120K商品编号
C19723856商品封装
TO-247-4L包装方式
管装
商品毛重
12.8克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
V(BR)DSS-漏源击穿电压 | 1200V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
Id-漏极电流(25℃) | 63A | |
Pd-功耗 | 283W |
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