TLC274AIDR

TLC274和TLC279四运放结合了多种输入失调电压等级，具备低失调电压漂移、高输入阻抗、低噪声的特点，速度接近通用BiFET器件。 这些器件采用硅栅LinCMOS技术，其失调电压稳定性远超传统金属栅工艺。 极高的输入阻抗、低偏置电流和高转换速率，使这些性价比高的器件成为以往BiFET和NFET产品应用的理想选择。有四种失调电压等级可供选择（C后缀和I后缀类型），从低成本的TLC274（10 mV）到高精度的TLC279（900 μV）。这些优势，加上良好的共模抑制和电源电压抑制能力，使这些器件既适用于最新的先进设计，也适用于现有设计的升级。 一般来说，LinCMOS运放具备许多双极技术的特性，却没有双极技术的功耗问题。诸如传感器接口、模拟计算、放大器模块、有源滤波器和信号缓冲等常见应用，使用TLC274和TLC279很容易设计。这些器件还支持低电压单电源工作，非常适合远程和难以触及的电池供电应用。共模输入电压范围包括负电源轨。 有多种封装选项可供选择，包括适用于高密度系统应用的小外形和芯片载体版本。 器件的输入和输出设计可承受 -100 mA浪涌电流而不会发生闩锁。 TLC274和TLC279内置了静电放电（ESD）保护电路，按照MIL - STD - 883C方法3015.2测试，可防止高达2000 V电压下的功能失效；然而，在处理这些器件时应小心，因为暴露在静电环境中可能会导致器件参数性能下降。 C后缀器件的工作温度范围为0°C至70°C。I后缀器件的工作温度范围为 - 40°C至85°C。M后缀器件的工作温度范围为 温度范围 - 55°C至125°C。

• 微调失调电压：TLC279... 25°C、VDD = 5 V时最大900 μV
• 输入失调电压漂移... 通常为0.1 μV/月，包括前30天
• 指定温度范围内的宽电源电压范围：
  • 0°C至70°C... 3 V至16 V
  • -40°C至85°C... 4 V至16 V
  • -55°C至125°C... 4 V至16 V
• 单电源工作
• 共模输入电压范围扩展至负电源轨以下（C后缀和I后缀版本）
• 低噪声... f = 1 kHz时通常为25 nV/Hz
• 输出电压范围包括负电源轨
• 高输入阻抗... 典型值10^12 Ω
• 静电放电保护电路
• 小外形封装选项也有卷带包装
• 具备抗闩锁设计

• 传感器接口
• 模拟计算
• 放大器模块
• 有源滤波器
• 信号缓冲
• 远程和难以触及的电池供电应用
• 高密度系统应用