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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM3400ANSA

N沟道增强型场效应晶体管

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私有库下单最高享92折
描述
特性:SOT 23封装。Trench FET功率MOSFET。RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 10V)。RDS(ON) < 40mΩ(VGS = 4.5V)。RDS(ON) < 52mΩ(VGS = 2.5V)。应用:DC/DC转换器。电池开关
商品型号
ATM3400ANSA
商品编号
C915717
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@10V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.05nF
反向传输电容(Crss)77pF
类型N沟道
输出电容(Coss)99pF

商品特性

  • 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
  • RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 10V)
  • RDS(ON) < 40mΩ(VGS = 4.5V)
  • RDS(ON) < 52mΩ(VGS = 2.5V)
  • SOT - 23封装

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电池开关

数据手册PDF