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ATM9435PPA
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- ATM9435PPA采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM9435PPA
- 商品编号
- C915745
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
ATM4N65TE是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于高速开关应用，包括电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥式电路。
商品特性
- VDS(V) = -30V
- ID = -6.0 A (VGS = -10 V)
- RDS(ON) < 48 mΩ (VGS=-10 V)
- RDS(ON) < 55 mΩ (VGS=-6.0 V)
- RDS(ON) < 78 mΩ (VGS=-4.5 V)
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC-DC转换器
- 桥式电路
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- AFC30-S10FCA-00
- AFC30-S12FCA-00
- AFC30-S24FCA-00
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