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ATM2N65TE
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- ATM2N65TE是一款高压功率MOSFET，具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路等高速开关应用场景。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2N65TE
- 商品编号
- C915723
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.487克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@15V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
ATM1205PSI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品ATM1205PSI为无铅产品。
商品特性
- VDS(V) = -12 V
- ID = -1.7 A (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 100 mΩ (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 130 mΩ (VGS = -3.6 V)
- RDS(ON) < 150 mΩ (VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) < 250 mΩ (VGS = -1.8 V)