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ATM1205PSI
1个P沟道 耐压:12V 电流:1.7A
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- 描述
- ATM1205PSI采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM1205PSI
- 商品编号
- C915744
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 618pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 172pF |
商品概述
ATM9435PPA采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品ATM9435PPA为无铅产品。
商品特性
- VDS(V) = -12 V
- ID = -1.7 A (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 100 mΩ (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 130 mΩ (VGS = -3.6 V)
- RDS(ON) < 150 mΩ (VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) < 250 mΩ (VGS = -1.8 V)
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