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ATM3404NSA
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 特性：Trench FET Power MOSFET。 优秀的RDS(on)和低栅极电荷。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM3404NSA
- 商品编号
- C915719
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.427克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SOP-8 塑封封装互补增强模式 MOS 场效应管。 SOP-8 塑封封装的互补增强型 MOSFET。
商品特性
- N 沟道
- P 沟道
- 漏源电压 VDS = 40V
- 漏源电压 VDS = -40V
- 漏极电流 ID = 6A
- 漏极电流 ID = -5A
- 漏源导通电阻 RDS(ON) < 31mΩ（栅源电压 VGS = 10V）
- 漏源导通电阻 RDS(ON) < 45mΩ（栅源电压 VGS = -10V）
- 漏源导通电阻 RDS(ON) < 45mΩ（栅源电压 VGS = 4.5V）
- 漏源导通电阻 RDS(ON) < 63mΩ（栅源电压 VGS = -4.5V）
- 无卤产品。
应用领域
- 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。适用于作负载开关或脉宽调制应用。
- 这些器件非常适合高效开关型 DC/DC 转换器和开关模式电源。也适用于作为负载开关或用于脉宽调制应用。