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ATM2312NSA
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：小封装：SOT-23。 VDS = 20V。 ID = 5A。 RDS(ON) ≤ 31.8mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) ≤ 35.6mΩ @ VGS = 2.5V。 先进的沟槽技术。应用：便携式应用的负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2312NSA
- 商品编号
- C915718
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V；23mΩ@2.5V；30mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准，详见订购信息）