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ATM2306NSA
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A
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- 描述
- ATM2306NSA采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。该器件适用于作为负载开关或DC/DC转换器。
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2306NSA
- 商品编号
- C915713
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 305pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(ON)
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 可根据要求添加后缀“-HF”提供无卤产品
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准。详见订购信息）