1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
- 50+: ¥0.118834 / 个
- 500+: ¥0.096365 / 个
- 3000+: ¥0.074895 / 个 (折合1圆盘224.69元)
- 6000+: ¥0.067406 / 个 (折合1圆盘202.22元)
- 24000+: ¥0.060915 / 个 (折合1圆盘182.75元)
- 51000+: ¥0.05742 / 个 (折合1圆盘172.26元)
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¥0.067406 / 个 (折合1圆盘202.22元) |
24000+: |
¥0.060915 / 个 (折合1圆盘182.75元) |
51000+: |
¥0.05742 / 个 (折合1圆盘172.26元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
功率(Pd) | 400mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@4.5V,4A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 750mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.3nC@2.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 55pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |