我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
NVMFWS016N06CT1G实物图
  • NVMFWS016N06CT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFWS016N06CT1G

1个N沟道 耐压:60V 电流:33A 电流:10A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFWS016N06CT1G
商品编号
C900498
商品封装
DFN-5(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A;33A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.4W;36W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)6.9nC@10V
输入电容(Ciss)489pF
反向传输电容(Crss)5.7pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
  • NVMFWS016N06C - 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
  • 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

-电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运设备-电池管理系统(BMS)/储能、智能家居

数据手册PDF