温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NVTFS016N06CTAG

1个N沟道耐压:60V 电流:32A

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NVTFS016N06CTAG
商品编号: C900508
商品封装: WDFN-8(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ II MOSFET是基于先进平面条形和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。UniFET II Ultra FRFET™ MOSFET具有更优异的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间（trr）小于50nsec，反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而普通平面MOSFET的这两个参数分别超过200nsec和4.5V/nsec。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET II Ultra FRFET MOSFET可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。

商品特性

小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑设计
低 RDS(on),以最小化传导损耗
低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
NVTFWS016N06C – 可焊侧翼选项,便于光学检测
通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合 RoHS 标准

应用领域

电动工具、电池供电吸尘器
无人机、物料搬运设备
电池管理系统(BMS)/储能、家庭自动化

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	32A
	导通电阻(RDS(on))	13.6mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	36W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	6.9nC@10V
	输入电容(Ciss)	489pF
	反向传输电容(Crss)	5.7pF
	工作温度	-55℃~+175℃