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NVTFS4C06NTAG实物图
  • NVTFS4C06NTAG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVTFS4C06NTAG

1个N沟道 耐压:30V 电流:71A

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描述
适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 3x3mm 扁平引线封装,且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVTFS4C06NTAG
商品编号
C900514
商品封装
WDFN-5(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.097714克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)71A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)37W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)11.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.683nF@15V
反向传输电容(Crss)40pF@15V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

数据手册PDF

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