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NVTFS010N10MCLTAG

1个N沟道耐压:100V 电流:57.8A

描述: 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NVTFS010N10MCLTAG
商品编号: C900506
商品封装: WDFN-8(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.226563克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ II MOSFET是仙童半导体基于先进的平面条纹和DMOS技术推出的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。UniFET II Ultra FRFET™ MOSFET具有极为出色的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间（trr）小于50纳秒，反向dv/dt抗扰度为20V/纳秒，而普通平面MOSFET的反向恢复时间和反向dv/dt抗扰度分别超过200纳秒和4.5V/纳秒。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET II Ultra FRFET MOSFET可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。

商品特性

导通状态下的漏源电阻（RDS(on)） = 1.7 Ω（典型值）@ 栅源电压（VGS） = 10 V，漏极电流（ID） = 1.95 A
低栅极电荷（典型值9 nC）
低反向传输电容（Crss）（典型值4 pF）
100%雪崩测试
改善的dv/dt能力
改善的ESD能力
符合RoHS标准

应用领域

-LCD/LED电视-照明-不间断电源-交流-直流电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	57.8A
	导通电阻(RDS(on))	10.6mΩ@10V,57.8A
	耗散功率(Pd)	77.8W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	30nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.15nF@50V
	反向传输电容(Crss)	18pF@50V
	工作温度	-55℃~+175℃