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NVMFWS020N06CT1G实物图
  • NVMFWS020N06CT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMFWS020N06CT1G

1个N沟道 耐压:60V 电流:28A 电流:9A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFWS020N06CT1G
商品编号
C900499
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A;28A
导通电阻(RDS(on))16.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.4W;31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)5.8nC@10V
输入电容(Ciss)355pF
反向传输电容(Crss)4.9pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
  • NVMFWS020N06C —— 可焊侧翼选项,便于增强光学检测
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准

应用领域

  • 电动工具、电池供电吸尘器
  • 无人机、物料搬运设备
  • 电池管理系统(BMS)/储能、智能家居

数据手册PDF