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FOD8316
输出电流2.5 A，带退饱和检测和隔离故障检测功能的IGBT驱动光耦
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- 描述
- FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FOD8316
- 商品编号
- C899337
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 通道数 | 1 | |
| CMTI(kV/us) | 35kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V | |
| 峰值输出电流 | 2.5A | |
| 传播延迟 tpHL | 250ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 250ns | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.243kV | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 25ns |
商品概述
FOD8316是一款先进的2.5 A输出电流IGBT驱动光耦，能够驱动大多数1200 V/150 A的IGBT。它非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。FOD8316具备关键的保护功能，可防止导致IGBT热失控损坏的故障情况。 该器件采用安森美（ON）专有的Optoplanar共面封装技术和优化的IC设计，实现了高抗噪性，其特点是具有高共模抑制和电源抑制指标。 FOD8316由一个集成栅极驱动光耦和一个用于故障检测的集成高速隔离反馈组成。集成栅极驱动光耦采用低RDS(ON)的CMOS晶体管，可实现IGBT的轨到轨驱动。该器件采用紧凑的16引脚小外形塑料封装，满足8 mm的爬电距离和电气间隙要求。
商品特性
- 高抗噪性，共模抑制比最低35 kV/µs，VCM = 1500 VPEAK
- 2.5 A峰值输出电流驱动能力，适用于大多数1200 V/150 A的IGBT
- 光隔离故障检测反馈
- “软”IGBT关断
- 内置IGBT保护——去饱和检测——欠压锁定（UVLO）保护
- 宽电源电压范围：15 V至30 V——输出级采用P沟道MOSFET，使输出电压摆幅接近电源轨（轨到轨输出）
- 3.3 V/5 V，CMOS/TTL兼容输入
- 高速——在整个工作温度范围内最大传播延迟为250 ns
- 扩展的工业温度范围，-40℃至100℃
- 安全和法规认证——UL1577，4243 VRMS，持续1分钟——DIN EN/IEC 60747-5-5：1414 VPEAK工作绝缘电压额定值，8000 VPEAK瞬态隔离电压额定值
- RDS(ON)为1 Ω（典型值），功耗更低
- 用户可配置：反相、同相、自动复位、自动关机
- 8 mm爬电距离和电气间隙
应用领域
- 工业逆变器
- 感应加热
- 隔离式IGBT驱动