温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FOD8318V
FOD8318V
- 描述
- FOD8318 是一款先进的 2.5?A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200 V/150 A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的高速隔离式反馈。FOD8318 具有有源米勒箝位功能，可在高 dv/dt 情况下关闭 IGBT，而无需负电源电压。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件封装在紧凑型 16 引脚小型塑料封装中，满足 8 毫米漏电和间距要求。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FOD8318V
- 商品编号
- C899339
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
FOD8318 是一种先进的2.5A输出电流IGBT驱动光耦合器，能够驱动大多数1200V/150A的IGBT。它非常适合用于电机控制、逆变器应用和高性能电源系统中的快速开关驱动功率IGBT和MOSFET。该器件由一个集成栅极驱动光耦合器组成，具有低Rps(ON) CMOS晶体管，可以从轨到轨驱动IGBT，并集成了高速隔离反馈以进行故障检测。FOD8318具有主动米勒钳位功能，可以在高dv/dt情况下关闭IGBT，而无需负电源电压。它提供了防止导致IGBT破坏性热失控的故障条件所需的关键保护功能。
该器件采用了安森美的专有Optoplanar共面封装技术和优化的IC设计，实现了高抗噪性能，其特点是具有高共模抑制比和电源抑制比规格。
该器件采用紧凑的16引脚小外形塑料封装，满足8毫米爬电距离和电气间隙要求。
商品特性
- 高抗噪性能，共模抑制比为-35 kV/μs，最小共模抑制比（Vcm = 1500 Vpeak）
- 峰值输出电流驱动能力达2.5 A，适用于大多数1200 V / 150 A IGBT
- 光电隔离故障感应反馈
- 主动米勒钳位，在高dv/dt情况下无需负电源电压即可关闭IGBT
- “软”IGBT关断
- 内置IGBT保护
- 饱和检测
- 欠压锁定（UVLO）保护
- 宽电源电压范围，从15 V到30 V
- 输出级使用P沟道MOSFET，使输出电压摆幅接近电源轨（轨到轨输出）
- 3.3 V / 5 V，CMOS/TTL兼容输入
- 高速 - 在整个工作温度范围内最大传播延迟为250 ns
- 扩展工业温度范围，-40℃至100℃
- 安全和法规认证
- UL1577，4,243 VRMS持续1分钟
- DIN EN/IEC 60747-5-5.1，414 Vpeak工作绝缘电压，8000 Vpeak瞬态隔离电压等级
- RDS(ON)为Ω（典型值），提供更低的功率损耗
- 用户可配置：反相、非反相、自动复位和自动关断
- 爬电距离和电气间隙为8 mm
应用领域
- 工业逆变器
- 感应加热
- 隔离 IGBT 驱动