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SZESDR0502BT1G

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：2A@8/20us

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描述: ESDR0502B 适用于在需要超低电容来保护信号完整性的应用中，为电压敏感性组件提供针对 ESD 的损坏防护。绝佳箝位能力、低漏和快速响应时间，再结合 0.5 pF 的超低二极管电容，可提供最佳保护，使其不会由于 ESD 而损坏。小型 SC-75 封装适用于板面积非常宝贵的设计。ESDR0502B 可用于保护两个单向线路或一个双向线路。用于保护一个双向线路时，有效电容为 0.25 pF。因其低电容，它非常适用于保护高频率信号线路，如 USB 2.0 高速和天线应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: SZESDR0502BT1G
商品编号: C894515
商品封装: SC-75
包装方式: 编带
商品毛重: 0.02克(g)

商品参数

商品概述

ESDR0502B旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容低至0.5 pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD损坏防护。小型SC - 75封装非常适合电路板空间有限的设计。ESDR0502B可用于保护两条单向线路或一条双向线路。当用于保护一条双向线路时，有效电容为0.25 pF。由于其电容较低，它非常适合保护高频信号线，如USB2.0高速信号线和天线线路。

商品特性

典型电容低至0.5 pF
钳位电压低、泄漏电流小
耐受电压：5 V
典型响应时间<1.0 ns
符合IEC61000 - 4 - 2 4级ESD防护标准，ISO10605 330 pF/2 kΩ ±17 kV（接触放电）
带有SZ前缀，适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这是一款无铅器件

应用领域

USB2.0高速
天线线路

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	2A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	20W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压	5.8V
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	双路
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.5pF