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FDY302NZ
停产 1个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
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- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺设计，可在 VGS = 2.5V 时优化 RDS(ON)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY302NZ
- 商品编号
- C891139
- 商品封装
- SC-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- LFPAK4封装，行业标准
- 这些器件无铅，符合RoHS标准