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FDY302NZ
停产 1个N沟道 耐压:20V 电流:600mA
- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺设计，可在 VGS = 2.5V 时优化 RDS(ON)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDY302NZ
- 商品编号
- C891139
- 商品封装
- SC-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 600 mA、20 V,VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 300 m Ω
- VGS = 2.5 V 时,RDS(ON) = 500 m Ω
- 静电放电保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
-锂离子电池组