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BLM4435

1个P沟道 耐压:30V 电流:9.1A

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描述
P沟道,-30V,-9.1A,20mΩ@-10V
品牌名称
BL(上海贝岭)
商品型号
BLM4435
商品编号
C92448
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.198克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9.1A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))-

商品概述

BLM4435采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。

商品特性

  • VDS = -30 V, ID = -9.1 A
  • RDS(ON) < 35 m Ω @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) < 20 m Ω @ VGS = -10 V
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池开关
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF