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ULN2002D1013TR

高压大电流达林顿阵列

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描述: 7个达林顿阵列
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: ULN2002D1013TR
商品编号: C91899
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.284克(g)

商品参数

商品概述

ULN2001、ULN2002、ULN2003和ULN2004是高压大电流达林顿阵列，每个包含7个共发射极的开集电极达林顿对。每个通道额定电流500mA，可承受600mA峰值电流。包含抑制二极管用于驱动感性负载，输入与输出引脚相对放置以简化电路板布局。不同版本兼容不同逻辑系列：ULN2001兼容通用、DTL、TTL、PMOS、CMOS；ULN2002兼容14-25V PMOS；ULN2003兼容5V TTL、CMOS；ULN2004兼容6-15V CMOS、PMOS。ULN2001A/2002A/2003A和2004A采用16引脚DIP封装，带铜引线框架以降低热阻，也有小外形封装（SO-16）版本，型号为ULN2001D1/2002D1/2003D1/2004D1。

商品特性

每个封装含7个达林顿管
每个驱动器输出电流500mA（峰值600mA）
输出电压50V
集成用于感性负载的抑制二极管
输出可并联以获得更高电流
输入兼容TTL/CMOS/PMOS/DTL
输入引脚与输出引脚相对放置，简化布局
DIP封装带铜引线框架以降低热阻

应用领域

驱动螺线管
驱动继电器
驱动直流电机
驱动LED显示灯丝灯
驱动热敏打印头
大功率缓冲器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	达林顿晶体管阵列
	通道数	七路
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	500mA
	最大输入电压(VI)	30V
	工作温度	-40℃~+85℃
	集电极漏电流(Icex)	50uA

	属性	参数值
	集射极饱和电压(VCE(sat))	1.6V
	输入电流(on)	0.82mA
	输入电流(off)	65uA
	正向压降(Vf)	1.7V
	反向电流(Ir)	50uA
	输入电容(Ci)	15pF
	类型	BJT