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IRF3205S
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- IRF3205S采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF3205S
- 商品编号
- C7587857
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 143W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
IRF3205S采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 120 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 7 mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 高密度单元设计，可降低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 封装散热性能优异
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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