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MLS60R150W
1个N沟道 电流:26A
- 描述
- MLS60R150W是采用先进超结技术的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗，提升开关性能。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。漏源电压（VDS）为600V，当栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 26A时，导通电阻（RDS(on)） < 150mΩ（典型值：126mΩ），具备快速开关特性，经过100%雪崩测试，改善了dv/dt能力，符合RoHS标准
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLS60R150W
- 商品编号
- C7587860
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.418222克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 126mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.86nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 静电敏感器件
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 26.5 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 32 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 48 mΩ
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