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5N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- 5N10采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- 5N10
- 商品编号
- C7587869
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -16 A（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 6.6 mΩ（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 10.2 mΩ（栅源电压VGS = -4.5 V）
- 行业标准SO8封装
- 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素
应用领域
- 笔记本电脑电池充放电开关
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