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IXTA10P50P

P沟道增强型功率MOSFET

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描述: 特性：国际标准封装。雪崩额定。坚固的PolarPTM工艺。低封装电感。快速本征二极管。易于安装。应用：高端开关。推挽放大器
品牌名称: Littelfuse/IXYS
商品型号: IXTA10P50P
商品编号: C7587889
商品封装: TO-263AA
包装方式: 管装
商品毛重: 1.772克(g)

商品参数

商品概述

这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

4.5A和5.5A、350V和400V
rDS(ON) = 1.0Ω和1.5Ω
单脉冲雪崩能量额定值
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	1Ω@10V
	耗散功率(Pd)	300W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	50nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.84nF
	反向传输电容(Crss)	42pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	275pF