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MLS65R380P
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
- 描述
- MLS65R380P是一款采用先进超结技术的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗，提升开关性能。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用等领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLS65R380P
- 商品编号
- C7587859
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.817克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 560pF |
商品概述
- 低漏源导通电阻(Rds(ON))-符合RoHS标准且无卤素
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V
- 漏极电流（ID） = -50A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） = 10 mΩ（典型值）@栅源电压（VGS） = -10V
- 100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
- 绿色环保产品
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)
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