NCE0160AG-VB
1个N沟道 耐压:100V
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6);N—Channel沟道,100V;65A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=3~5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE0160AG-VB
- 商品编号
- C7568812
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10.3mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个5000个/圆盘
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