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NCE0160AG-VB实物图
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NCE0160AG-VB

1个N沟道 耐压:100V

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型场效应晶体管,采用Trench技术,适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6);N—Channel沟道,100V;65A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=3~5V;
商品型号
NCE0160AG-VB
商品编号
C7568812
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.3mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V

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(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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