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CMB150N04
40V N沟道MOSFET
- 描述
- 150N04是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB150N04
- 商品编号
- C7545150
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.27nF |
商品概述
150N04是N沟道MOSFET,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,该器件适用于先进的高效开关应用。
商品特性
- 最小化输入电容和栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 低导通电阻
应用领域
-电机控制-DC-DC转换器-开关应用
- CMB20N15
- CMD25N06
- CMF65R190
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- CMU4010
- DCF100K26SL G6JL0A3
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