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CMF65R190
650V N沟道超结功率MOSFET
- 描述
- 65R190 是一款采用 CMOS 先进超结技术的功率 MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能降低开关损耗，还能为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMF65R190
- 商品编号
- C7545153
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 173mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
65R190是一款采用CMOS先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还能降低开关损耗。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-充电器-适配器-电源
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