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CMH80R450P
800V N沟道MOSFET
- 描述
- CMH80R450P采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在提供出色的RDS(ON)。这项先进技术经过优化，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。它适用于各种开关模式操作下的AC/DC电源转换，以实现更高的效率
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH80R450P
- 商品编号
- C7545154
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 800pF |
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