我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
CMD25N06实物图
  • CMD25N06商品缩略图
  • CMD25N06商品缩略图
  • CMD25N06商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMD25N06

60V N沟道MOSFET

描述
25N06将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品型号
CMD25N06
商品编号
C7545152
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.378克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))29mΩ@10V;34mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)50pF

商品概述

这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗、节约能源,使该器件非常适合用于小型电源管理电路。

商品特性

  • N沟道增强型
  • 更低的导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • DC-DC和DC-AC转换器
  • 电机控制、音频放大器
  • 大电流、高速开关
  • 螺线管和继电器驱动器

数据手册PDF