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CMB20N15
N沟道MOSFET
- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关性能和出色的品质。这些器件非常适合用于高效开关DC/DC转换器、开关模式电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB20N15
- 商品编号
- C7545151
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.643克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@18A | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个800个/圆盘
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