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WGD65R550L
650V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低导通电阻：在VGS = 10V时，RDS(ON)=550mΩ。 超低栅极电荷：典型值Qg = 16nC。 快速开关能力。 稳健设计，具有更好的雪崩耐量性能。 改进的电磁干扰设计
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGD65R550L
- 商品编号
- C7541456
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON) = 550 mΩ（VGS = 10 V时）
- 超低栅极电荷，典型Qg = 16 nC
- 快速开关能力
- 稳健设计，具有更好的EAS性能
- 改进的EMI设计
- 符合RoHS标准