温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WGP50N06A
60V N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 50nC（典型值）。 BVDSS = 60V，ID = 50A。 RDS(on)：0.012Ω（最大值）@ VG = 10V。 100% 雪崩测试
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGP50N06A
- 商品编号
- C7541470
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 12nC（典型值）。
- VDSS = 650 V，ID = 6 A
- RDS(on)：0.85 Ω（最大值）@ VG = 10 V
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准