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WGF65R550L
650V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低RDS(ON)=550mΩ，@VGS = 10V。 超低栅极电荷，Qg = 16nC（典型值）。 快速开关能力。 稳健设计，具有更好的EAS性能。 EMI改进设计
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF65R550L
- 商品编号
- C7541459
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 27pF |
商品概述
15N10采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。
商品特性
- 低总栅极电荷
- 低反向传输电容
- 漏源电压（VDS） = 100 V
- 漏极电流（ID） = 15 A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 95 mΩ（当栅源电压（VGS） = 10 V时）
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 100 mΩ（当栅源电压（VGS） = 4.5 V时）