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WGF65R600
600mΩ、650V超结N沟道功率MOSFET
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- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGF65R600
- 商品编号
- C7541468
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 510mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 356pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.7pF | |
| 输出电容(Coss) | 31.8pF |
商品概述
IRLR3410TRPBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON) = 600mΩ(VGS = 10V时)
- 超低栅极电荷,典型Qg = 18.4nC
- 快速开关能力
- 稳健设计,具有更好的EAS性能
- 改善EMI设计(SnowMOS第二代)
- 漏源极电压VDSS = 650V,漏极电流ID = 7.3A
- 100%雪崩测试
应用领域
-电视电源-高性能充电器/适配器-LED照明电源