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WGD30N10
100V N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGD30N10
- 商品编号
- C7541418
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.356nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83.3pF | |
| 输出电容(Coss) | 94pF |
商品特性
- 低固有电容
- 出色的开关特性
- 扩展的安全工作区
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 61.7nC(典型值)
- BVDSS = 100V,ID = 30A
- RDS(on):0.043 Ω(典型值)@VG = 10V
- 100% 雪崩测试
- TO - 252