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WGD10N65SE
650V N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGD10N65SE
- 商品编号
- C7541435
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 14nC（典型值）。
- BVDSS = 600 V，ID = 4A
- RDS(导通)：2.5 Ω（最大值）@ VG = 10 V
- 100% 雪崩测试