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WGD20N06S
60V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 50nC（典型值）。 BVDSS = 60V，ID = 20A。 RDS(on)：0.024Ω（最大值）@VG = 10V。 100% 雪崩测试
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGD20N06S
- 商品编号
- C7541424
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个2500个/圆盘
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