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WGD4N60SE
650V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 14nC（典型值）。 BVDSS = 600V，ID = 4A。 RDS(on)：2.5Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGD4N60SE
- 商品编号
- C7541429
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 14nC（典型值）。
- BVDSS = 650 V，ID = 4A
- RDS(导通)：2.50 Ω（最大值）@ VG = 10 V
- 100% 雪崩测试。
- 符合 RoHS 标准。