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NCE2302B-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE2302B-VB
- 商品编号
- C7525082
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
| 功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 865pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 55pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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