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FDG410NZ-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。SC70-6；N—Channel沟道,30V；4.5A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDG410NZ-VB
- 商品编号
- C7525067
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V；27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 脉宽调制（PWM）优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合2002/95/EC号RoHS指令
应用领域
- 初级侧开关-N沟道MOSFET