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BUZ10L-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BUZ10L-VB
- 商品编号
- C7525062
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.734克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V；28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门（OR-ing）
- 服务器
- 直流-直流（DC/DC）