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BSC12DN20NS3 G-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSC12DN20NS3 G-VB
- 商品编号
- C7525059
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；43mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 142pF |
商品特性
- 雷神(Thunder)技术优化了导通电阻RDS(on)、栅极电荷Qg、开关电荷Qsw和输出电容电荷Qoss之间的平衡
- 进行了100%栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 固定电信
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 初级和次级侧开关
- 同步整流
- LED照明
- 电源
- D类放大器