温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UTT50P04G
P沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- UTT50P04是一款P沟道功率MOSFET，采用友顺科技的先进技术，为客户提供高开关速度和极小的导通电阻，并且能够承受雪崩状态下的高能量。这款UTT50P04适用于电机驱动器、高端开关和12V板级网络等应用。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- UTT50P04G
- 商品编号
- C7509605
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9772克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；25mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 291pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
一款P沟道功率MOSFET，采用先进技术，具备高开关速度和极低导通电阻，且能承受雪崩状态下的高能量。适用于电机驱动器、高端开关和12V板级网络等。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = -10 V、漏极电流（ID） = -30 A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 15 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V、漏极电流（ID） = -20 A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 25 mΩ
- 高开关速度
- TO-220F
- TO-252
- SOP-8
- PDFN5×6
应用领域
- 电机驱动器
- 高端开关
- 12V板级网络