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2N7002KDW
双N沟道,电流:0.115A,耐压:60V
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- 描述
- 该消费级MOSFET采用紧凑型SOT-363封装，集成双N沟道技术，额定电压高达60V，最大连续电流为0.1A，特别适用于高耐压、低功耗的电子设备电源管理和精细控制应用。小巧体积与卓越性能兼具，提供精准高效的电路解决方案。
- 商品型号
- 2N7002KDW
- 商品编号
- C7507456
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,115mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |