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2N7002DW
2个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款消费级MOSFET采用SOT-363微型封装，内含双N沟道结构，额定电压高达60V，最大连续电流为0.1A，适用于低功率电子设备的精密电源管理和高效开关应用。其小巧尺寸与高性能设计提供了灵活且可靠的电路解决方案。
- 商品型号
- 2N7002DW
- 商品编号
- C7507457
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ ID） = -11.4 A（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 19 mΩ（栅源电压VGS = -4.5 V）
- 低导通电阻RDS(ON)，可最大程度降低传导损耗
- 低电容，可最大程度降低驱动损耗
- 优化的栅极电荷，可最大程度降低开关损耗
- SOP - 8表面贴装封装，节省电路板空间