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2N7002W
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有0.1A的电流处理能力和60V的耐压范围。其内阻典型值为1300毫欧姆，适用于低功耗电路设计。VGS为20V，确保稳定的开关控制。适合用于电源管理、信号放大及开关电路等应用，提升系统稳定性和效率。
- 商品型号
- 2N7002W
- 商品编号
- C7507459
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.115A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
2N7002W采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 0.115A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 3Ω
- 静电放电等级：人体模型（HBM）≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源