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3439KDW
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 该消费级MOSFET采用紧凑型SOT-363封装，集成N+P沟道设计，额定电压20V，最大连续电流0.8A，适用于低功耗电子设备的电源转换和智能开关控制。其小巧体积与高效能特性为电路设计带来灵活可靠的解决方案。
- 商品型号
- 3439KDW
- 商品编号
- C7507461
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 113pF；79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF；9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF；13pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56D（双Power-SO8）封装的双路标准电平N沟道MOSFET。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 0.75A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 380mΩ
- VDS = -20V,ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 570mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
- SOT-363
- N沟道MOSFET
- P沟道MOSFET